細線構造の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997011341
Publication number (International publication number)：1998209427
Application date： Jan. 24, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】細線構造の形成工程を簡略化し、かつ細線構造を所望の寸法に高精度で形成する。【解決手段】表面にバンチングステップ3が形成されているシリコン基板1上にゲルマニウムを蒸着し、バンチングステップ3上に複数のゲルマニウムアイランド5(以下、「Geアイランド5」と記す。)を形成する。Geアイランド5を成長し、隣接するGeアイランド5同士を合体させ、細線構造6を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の表面に単原子層の段差からなる複数のステップが集合した部分と原子的に平坦な部分とを形成する工程と、前記シリコン基板上に半導体物質を蒸着し、半導体物質からなる複数のアイランド構造を形成する工程と、前記複数のアイランド構造を前記ステップに沿う方向に成長させ、隣接して形成された前記アイランド構造同士を合体させる工程とを有する細線構造の形成方法。

IPC (3)：

H01L 29/06 , H01L 21/20 , H01L 21/203

FI (3)：

H01L 29/06 , H01L 21/20 , H01L 21/203 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平2-162717
半導体エピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-044496 Applicant：松下電器産業株式会社

Return to Previous Page