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J-GLOBAL ID：200903037345543178

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
岡 修一

About 岡 修一


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000265156
Publication number (International publication number)：2002071307
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Mar. 08, 2002
Summary：
【要約】【課題】静電容量値を低下させずに、表面形状認識面(指紋認識面)のスクラッチ耐性や耐薬品性を改善できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板に形成された複数のスイッチング素子と、スイッチング素子に接続され、検出対象物との間の静電容量値に応じた量の電荷が蓄積される複数の検出電極2と、少なくとも検出電極2上に形成された第1の絶縁性保護膜23と、第1の絶縁性保護膜23上に形成されたフッ素樹脂からなる第2の絶縁性保護膜24とを有する半導体装置、およびその製造方法。
Claim (excerpt)：
半導体基板に形成された複数のスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続され、検出対象物との間の静電容量値に応じた量の電荷が蓄積される複数の検出電極と、少なくとも前記検出電極上に形成された第1の絶縁性保護膜と、前記第1の絶縁性保護膜上に形成されたフッ素樹脂からなる第2の絶縁性保護膜とを有する半導体装置。
IPC (3)：
G01B 7/28 ,  A61B 5/117 ,  G06T 1/00 400
FI (3)：
G01B 7/28 A ,  G06T 1/00 400 G ,  A61B 5/10 322
F-Term (14)：
2F063AA41 ,  2F063BA29 ,  2F063BA30 ,  2F063CA28 ,  2F063CA30 ,  2F063DA02 ,  2F063DD07 ,  2F063HA04 ,  2F063HA09 ,  2F063HA10 ,  2F063LA09 ,  4C038FF01 ,  4C038FG00 ,  5B047AA25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
  • 指紋センサ-装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-369246   Applicant：ソニー株式会社
  • 凹凸パターン読み取り装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-114658   Applicant：ソニー株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-349131   Applicant：キヤノン株式会社
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