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J-GLOBAL ID：200903037351651764

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 金谷 宏行 ,  岩元 剛
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998324254
Publication number (International publication number)：2000150825
Application date： Nov. 13, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 強誘電体膜と下部電極との界面のダメージや剥がれを効果的に抑制して、残留分極量劣化の低減を図った強誘電体キャパシタを持つ半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 強誘電体キャパシタ20は、絶縁膜で覆われたシリコン基板10上に、下部Pt電極12、PZT膜14及び上部Pt電極15の積層膜をパターン形成して作られる。上部Pt電極15及びPZT膜14は連続的にエッチングしてパターン形成するが、その際下部Pt電極12のPZT膜14の外側に延在する部分12bの表面を一部オーバーエッチングする。これにより、PZT膜14と下部Pt電極12の界面13の位置に対して、下部Pt電極12の延在部分12bの表面位置を低下させる。その後保護膜16を堆積して、保護膜16と下部Pt電極12の延在部分12bを連続的にエッチングする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板上に絶縁膜を介して順次積層された下部電極、強誘電体膜、及び上部電極を有する強誘電体キャパシタとを備えた半導体装置において、前記強誘電体膜は、所定パターンの前記下部電極上にこれより小さい面積でパターン形成され、前記下部電極の前記強誘電体膜の外側に延在する部分の表面部は所定厚み除去されており、且つ前記下部電極の前記強誘電体膜の外側に延在する部分の表面から前記強誘電体膜及び上部電極の側面を通って上部電極の表面にまたがる範囲が水素ガス及びハロゲン系ガスの少なくとも1種に対する保護膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 651

F-Term (11)：

5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA56 ,  5F083PR03 ,  5F083PR07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 強誘電体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-254378   Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-327667   Applicant：松下電子工業株式会社