半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994327667
Publication number (International publication number)：1996017806
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】厚膜レジストの使用による解像度の劣化やエッチング時の絶縁膜へのオーバーエッチングによるトランジスタ等の回路素子の動作不良等の課題を解決し、信頼性に優れ、容易に製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】シリコン基板3上に酸化珪素膜4、第1の白金膜5、BaSrTiO3(BST)膜6および第2の白金膜7を設け、レジスト膜10を介してガス圧力1〜5Paの低圧力領域において臭化水素と酸素の混合ガスをエッチングガスとして第2の白金膜7およびBST膜6をドライエッチングし、第1の白金膜5が露出した時点でガス圧力5〜50Paの高圧力領域でBST膜6の未エッチング部分をエッチング除去したのち、再び上記低圧力領域で第1の白金膜5をドライエッチングすることによって上電極7a、容量絶縁膜6aおよび下電極5aを形成する。

Claim (excerpt)：

回路素子や配線等が形成された基板上に絶縁膜、第1の金属膜、誘電体膜および第2の金属膜を形成し、前記第2の金属膜および誘電体膜をドライエッチングして上電極および容量絶縁膜を形成した後、第1の金属膜をドライエッチングして下電極を形成する工程を有し、かつ少なくとも第2の金属膜のドライエッチングに使用するエッチングガスとしてハロゲン化水素と酸素を含有する混合ガスを用いた半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (3)：

H01L 21/302 F , H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-247715 Applicant：ローム株式会社
特開平2-288367
特開平4-023116

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