窒化物系半導体基板及び半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：平田忠雄 , 角田賢二 , 岡本芳明 , 岩永勇二 , 中村恵子 , 遠藤和光 , 野見山孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005350749
Publication number (International publication number)：2007153664
Application date： Dec. 05, 2005
Publication date： Jun. 21, 2007
Summary：

【課題】充分な導電性を確保しつつ、高い熱伝導率と高い電子移動度を有する窒化物系半導体基板及び半導体装置を提供する。【解決手段】直径25mm以上、かつ厚さ250μm以上の寸法を有する窒化物系半導体からなる基板であって、n型のキャリア濃度が1.2×1018cm-3以上3×1019cm-3以下であり、かつ熱伝導率が1.2W/cmK以上3.5W/cmK以下である窒化物系半導体基板。また、その窒化物系半導体基板の上に窒化物系半導体をエピタキシャル成長させて半導体装置とする。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

直径25mm以上、かつ厚さ250μm以上の寸法を有する窒化物系半導体からなる基板であって、n型のキャリア濃度が1.2×1018cm-3以上3×1019cm-3以下であり、かつ熱伝導率が1.2W/cmK以上3.5W/cmK以下であることを特徴とする窒化物系半導体基板。

IPC (2)：

C30B 29/38 , H01L 33/00

FI (2)：

C30B29/38 D , H01L33/00 C

F-Term (18)：

4G077AA02 , 4G077AB02 , 4G077AB03 , 4G077AB06 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077EB06 , 4G077FJ06 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 5F041AA03 , 5F041AA24 , 5F041AA33 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA57 , 5F041CA64

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

自立基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-166463 Applicant：株式会社フジクラ

Cited by examiner (1)

自立基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-166463 Applicant：株式会社フジクラ

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

Cited by examiner (3)

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