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J-GLOBAL ID：200903037430153320

投影露光装置及びそれを用いた半導体製造装置

Inventor：
田中 浩

About 田中 浩


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 高梨 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993163151
Publication number (International publication number)：1994349696
Application date： Jun. 07, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 レチクル面上のパターンをウエハ面上に高精度に投影露光し高集積度の半導体素子を製造することができる半導体製造装置及びそれを用いた投影露光装置。【構成】 レジスト塗布装置によりレジストを塗布した検査用ウエハに投影露光装置により2次元的な格子パターンより成るフォーカス計測用パターンを投影露光し、現像装置により現像処理をした検査用ウエハの複数の領域のフォーカス計測用パターンを計測して、半導体素子製造中の各プロセス工程でのフォーカス位置及びレチクル投影面の傾きを求めてフォーカスオフセット又は傾き補正量として投影露光装置に設定していること。
Claim (excerpt)：
レジスト塗布装置によりウエハ面上にレジストを塗布し、該ウエハ面上のレジストにレチクル面上のパターンを投影露光装置により投影露光し、該ウエハを現像装置により現像処理して半導体素子を製造する半導体製造装置において、該レジスト塗布装置によりレジストを塗布した検査用ウエハに該投影露光装置により2次元的な格子パターンより成るフォーカス計測用パターンを投影露光し、該現像装置により現像処理をした該検査用ウエハの複数の領域のフォーカス計測用パターンを計測して、半導体素子製造中の各プロセス工程でのフォーカス位置及び該レチクル投影面の傾きを求めてフォーカスオフセット又は傾き補正量として該投影露光装置に設定していることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/66
FI (2)：
H01L 21/30 301 G ,  H01L 21/30 311 N
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
  • 特開昭63-107115
  • 特開昭63-107115
  • 特開平1-187817
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