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J-GLOBAL ID：200903037452985345

窒素-3族元素化合物半導体発光素子

Inventor： 小出 典克 ,  山崎 史郎 ,  加藤 久喜 ,  真部 勝英 ,  土居 陽 ,  加藤 茂 ,  桑原 拓哉
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  日新電機株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993164022
Publication number (International publication number)：1994350138
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】pn接合型AlGaInN 発光ダイオードにおける製造効率の向上。【構成】サファイア基板1に、順に、500 ÅのAlN のバッファ層2、膜厚約3μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約5000Å、電子濃度1 ×1016/cm3のノンドープGaN から成る低キャリア濃度n層4、膜厚約0.5 μm、ホール濃度1 ×1016/cm3のMgドープGaN から成る低キャリア濃度p層51、膜厚約0.2 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3の高キャリア濃度p+ 層52が形成されている。p層51及びp+ 層52はMgをドープした後、ウエハの全面に面状に広がったレーザを照射して形成した。

Claim (excerpt)：

n型の窒素-3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるn層と、p型の窒素-3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) からなるp層とを有する窒素-3族元素化合物半導体発光素子において、前記p層はマグネシウム(Mg)を添加した後、ウエハの全面に面状に広がったレーザを照射して形成したことを特徴とする発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 青色発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-034234   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 電子ビーム加熱装置および材料加熱方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-028961   Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
• 特開平2-130912