単結晶の成長装置および成長方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：伊藤求馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000249634
Publication number (International publication number)：2002060297
Application date： Aug. 21, 2000
Publication date： Feb. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】昇華再結晶法による炭化珪素等の単結晶の成長において、簡易な構成で、単結晶の口径拡大と品質向上を両立できる単結晶の成長装置を得る。【解決手段】るつぼ8に収容した原料粉末7上方の空間を囲むように、テーパ状のガイド部材6を設けて、その下端を炭化珪素原料粉末7近傍のるつぼ8内壁に固定し、上端を蓋体1に固定した炭化珪素単結晶基板3の近傍に開口させて、原料の昇華ガスを炭化珪素単結晶基板3表面に誘導し、結晶成長を促進する。ガイド部材6の上端は、炭化珪素単結晶基板3、種結晶支持部2、蓋体1下面、るつぼ8内壁のいずれとも接触しておらず、昇華ガスの一部がこれらの隙間から外部へ流出することによって、成長する炭化珪素単結晶5がガイド部材6に接触して、応力を受けることが防止され、高品質な単結晶を大口径で得ることができる。

Claim (excerpt)：

容器内に成長させる単結晶の原料を収容し、該原料に対向する容器内壁面の一部を上記原料側に突出させて種結晶を支持する種結晶支持部となし、上記原料を加熱昇華させて上記種結晶上に単結晶を成長させる装置において、上記種結晶と上記原料の間に、一端が上記種結晶の近傍に位置し他端が上記原料の近傍の上記容器内側壁に支持固定される筒状部材を設けて、上記原料の昇華ガスを上記種結晶表面へ導くとともに、その内部を上記単結晶の成長空間とするガイド部材となし、かつ上記ガイド部材の上記一端が、上記種結晶、上記種結晶支持部、上記種結晶支持部を有する上記容器内壁面、および上記容器内側壁のいずれとも接触していないことを特徴とする単結晶の成長装置。

IPC (3)：

C30B 23/02 , C30B 29/36 , H01L 21/203

FI (3)：

C30B 23/02 , C30B 29/36 A , H01L 21/203 Z

F-Term (10)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA02 , 4G077EG24 , 4G077HA12 , 5F103AA01 , 5F103AA04 , 5F103DD17 , 5F103GG01 , 5F103HH03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

坩堝、結晶成長装置、および、結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-020697 Applicant：株式会社シクスオン
単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-321052 Applicant：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー

Cited by examiner (2)

坩堝、結晶成長装置、および、結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-020697 Applicant：株式会社シクスオン
単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-321052 Applicant：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー

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