Pat
J-GLOBAL ID：200903007075797672

フリップチップ型光半導体素子

Inventor：
高岡 美和

About 高岡 美和


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998141873
Publication number (International publication number)：1999340514
Application date： May. 22, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】本発明は各種インジケータや光プリンタのプリンタヘッド用など種々の発光素子や太陽電池などの受光素子として利用可能なフリップチップ型光半導体素子に係わり、特に、駆動基板上への配置においても位置精度に関わりなく短絡が極めて少ない高輝度フリップチップ型光半導体素子を提供することにある。【解決手段】本発明は透光性絶縁基板に形成された窒化物半導体の同一平面側に正と負の電極が設けられ、該電極表面の露出部を除いて窒化物半導体層表面を被覆した保護膜を有するフリップチップ型光半導体素子である。特に、保護膜は絶縁性被膜からなる第1層と、第1層上の金属層と、金属層上に絶縁性被膜からなる第2層の少なくとも3層構造からなる。
Claim (excerpt)：
透光性絶縁基板に形成された窒化物半導体の同一平面側に正と負の電極が設けられ、該電極表面の露出部を除いて窒化物半導体層表面を被覆した保護膜を有するフリップチップ型光半導体素子であって、前記保護膜は絶縁性被膜からなる第1層と、該第1層上の金属層と、該金属層上に絶縁性被膜からなる第2層の少なくとも3層構造を有することを特徴とするフリップチップ型光半導体素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (12)
Show all
Cited by examiner (12)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM