Pat
J-GLOBAL ID:200903037558983260
冷陰極装置の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
稲垣 清
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000066668
Publication number (International publication number):2000353467
Application date: Mar. 10, 2000
Publication date: Dec. 19, 2000
Summary:
【要約】【課題】 カーボン材料膜より成るエミッタを有する冷陰極装置において、カソード電極上に連続膜よりなるカーボン材料膜を選択的に形成する製造方法を提供する。【解決手段】 カソード電極と、カソード電極上に形成されたカーボン材料膜と、開口を有するゲート電極よりなる冷陰極装置において、少なくとも絶縁膜3の開口に露出したカソード電極2上を選択的に連続的なカーボン材料膜5aで覆うとともに絶縁膜の開口に露出したカソード電極上以外の領域は成長開始速度が遅い犠牲層8を形成することにより、非連続なカーボン材料膜5bが形成される。これにより、容易に不要なカーボン材料膜はリフトオフ除去され、簡便に連続的なカーボン材料膜をカソード電極上に形成できる。
Claim (excerpt):
カソード電極と、前記カソード電極上に形成された電子放出材料と、前記電子放出材料上に開口を有するゲート電極よりなる冷陰極装置の製造方法であって、少なくとも前記絶縁膜の開口に露出した前記カソード電極上に、選択的に、連続的な電子放出材料を覆う工程を有することを特徴とする冷陰極装置の製造方法。
IPC (4):
H01J 9/02
, C01B 31/02 101
, C01B 31/02
, C23C 16/26
FI (4):
H01J 9/02 B
, C01B 31/02 101 Z
, C01B 31/02 101 F
, C23C 16/26
F-Term (12):
4G046CA02
, 4G046CB03
, 4G046CB08
, 4G046CC06
, 4K030AA10
, 4K030BA27
, 4K030BA28
, 4K030FA01
, 4K030FA10
, 4K030JA06
, 4K030JA09
, 4K030JA10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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フィールドエミッタ素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-220413
Applicant:昭和電工株式会社
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カーボンナノチューブの製法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-008461
Applicant:キヤノン株式会社
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