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J-GLOBAL ID：200903037616897280

半導体製造装置用部材

Inventor： 家近 泰 ,  片峯 俊尚 ,  小野 善伸 ,  高田 朋幸
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996300205
Publication number (International publication number)：1997199434
Application date： Nov. 12, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】化学的、機械的安定性に優れた3-5族化合物半導体の製造装置用部材を提供することにより、該化合物半導体に適した生産性の高い成長装置を提供する。【解決手段】(1)一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体の製造装置用部材において、黒鉛基材がSiCに転化されてなるSiCを用いてなる3-5族化合物半導体の製造装置用部材。(2)一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体の製造装置用部材において、黒鉛基材の少なくとも表層部がSiCに転化されてなる黒鉛-SiC複合体を用いてなる3-5族化合物半導体の製造装置用部材。(3)前記(1)又は(2)記載の3-5族化合物半導体の製造装置用部材を用いてなる3-5族化合物半導体の製造装置。

Claim (excerpt)：

一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体の製造装置用部材において、黒鉛基材がSiCに転化されてなるSiCを用いてなる3-5族化合物半導体の製造装置用部材。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/08 ,  C30B 29/40 ,  H01L 21/68 ,  H01L 33/00

FI (5)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/08 ,  C30B 29/40 Z ,  H01L 21/68 N ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特公平5-083517
  
• プラズマCVD用のサセプタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-341099   Applicant：イビデン株式会社
• 耐酸化性に優れた黒鉛-炭化珪素複合体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-029723   Applicant：東洋炭素株式会社
• 特開平4-284623
  
• 特開平1-238023
  
• 特開昭60-065798
  
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-033659   Applicant：住友化学工業株式会社