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J-GLOBAL ID:200903037623115484
露光方法及び露光装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
丸島 儀一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998184240
Publication number (International publication number):2000021722
Application date: Jun. 30, 1998
Publication date: Jan. 21, 2000
Summary:
【要約】【課題】 多重露光に要する時間を短くする。【解決手段】 投影露光装置に設置したマスクのゲートパターンで、ウエハに対して、途中で現像することなく、小σの斜め照明によるファイン露光と大σの垂直照明によるラフ露光の多重露光を行なう。ファイン露光の際は投影光学系の開口絞りとして長方形開口を持つ絞りを用い、ラフ露光の際は投影光学系の開口絞りとして円形開口を持つ絞りを用いる。
Claim (excerpt):
同一のマスクパターンを露光波長は一定のままで照明条件を変えて照明して共通の被露光領域に投影することを特徴とする露光方法。
IPC (3):
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, G03F 7/22
FI (6):
H01L 21/30 502 C
, G03F 7/20 521
, G03F 7/22 H
, H01L 21/30 514 A
, H01L 21/30 515 A
, H01L 21/30 528
F-Term (10):
5F046AA13
, 5F046BA04
, 5F046BA05
, 5F046CA04
, 5F046CA08
, 5F046CB05
, 5F046CB17
, 5F046CB23
, 5F046DA01
, 5F046DA02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-148536
Applicant:キヤノン株式会社
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露光方法および露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-207237
Applicant:ソニー株式会社
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特開平4-204737
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露光方法及び露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-334121
Applicant:株式会社日立製作所
-
パターン形成方法、パターン形成装置及びマスク
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-109343
Applicant:株式会社日立製作所
-
位相反転マスクの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-173141
Applicant:エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
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