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J-GLOBAL ID：200903037629242704

酸化シリコン及び酸窒化シリコンの低温堆積

Inventor： 千崎 佳秀 ,  リー サン イン ,  リー サン キョウ
Applicant, Patent owner： アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド ,  インテグレイテッド プロセス システムズ リミテッド
Agent (4)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004529164
Publication number (International publication number)：2005536055
Application date： Aug. 18, 2003
Publication date： Nov. 24, 2005
Summary：

本発明は、有機シリコン前駆体及びオゾンから酸化シリコン及び/又は酸窒化シリコンを形成するための低温(すなわち、約450°C未満の)化学気相成長(CVD)プロセス及び低温原子層堆積(ALD)プロセスに関する。本発明のプロセスは、良好な段差被覆をもたらす。本発明を利用して、高k誘電体及び低k誘電体の両方を堆積させることができる。

Claim (excerpt)：

有機シリコン前駆体及びオゾンを、基板が置かれた堆積域に導入するステップを含むことを特徴とする、酸化シリコンを基板上に堆積させるための方法。

IPC (2)：

H01L21/316 ,  H01L21/318

FI (2)：

H01L21/316 X ,  H01L21/318 C

F-Term (10)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 酸化珪素膜の化学気相成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-220441   Applicant：丸山敏朗
• 絶縁膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-061079   Applicant：ソニー株式会社
• 化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-320973   Applicant：日本電気株式会社
• 絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-263807   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平1-152631
  
• 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-007885   Applicant：ソニー株式会社