Pat
J-GLOBAL ID:200903037683026391
半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
北野 好人
, 三村 治彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004153313
Publication number (International publication number):2005340269
Application date: May. 24, 2004
Publication date: Dec. 08, 2005
Summary:
【課題】CAMセルを形成するのに要するスペースを縮小し得る半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート配線34aが直線状に形成されており、ゲート配線40dがゲート配線34aの延長線上に位置しており、ゲート配線40eがゲート配線40aとゲート配線40dとの間に位置しており、ゲート配線40bが直線状に形成されており、ゲート配線40cがゲート配線40bの延長線上に位置しており、ゲート配線40gが直線状に形成されており、ゲート配線40hがゲート配線40gの延長線上に位置しており、ゲート配線40fが直線状に形成されており、ゲート配線40iがゲート配線40fの延長線上に位置しており、ゲート配線40jがゲート配線40fとゲート配線40iとの間に位置している。このため、CAMセルを形成するのに要するスペースを極めて小さくすることができる。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
第1のトランジスタと第2のトランジスタより成る第1のインバータと;第3のトランジスタと第4のトランジスタより成る第2のインバータと;前記第1のインバータと前記第2のインバータとにより構成された第1のフリップフロップ回路を制御する第5のトランジスタと;前記第1のフリップフロップ回路を制御する第6のトランジスタとを有する第1のメモリセルと、
第7のトランジスタと第8のトランジスタより成る第3のインバータと;第9のトランジスタと第10のトランジスタより成る第4のインバータと;前記第3のインバータと前記第4のインバータとにより構成された第2のフリップフロップ回路を制御する第11のトランジスタと;前記第2のフリップフロップ回路を制御する第12のトランジスタとを有する第2のメモリセルと、
前記第1のフリップフロップ回路に接続された第13のトランジスタと、前記第13のトランジスタに接続された第14のトランジスタと、前記第2のフリップフロップ回路に接続された第15のトランジスタと、前記第15のトランジスタに接続された第16のトランジスタとより成り、前記第1のメモリセルに書き込まれる情報と前記第2のメモリセルに書き込まれる情報とを比較し、比較結果に基づいた判定信号を出力する比較回路とを有する半導体装置であって、
前記第1のトランジスタのゲート電極と前記第2のトランジスタのゲート電極とを含み、直線状に形成された第1のゲート配線と、
前記第6のトランジスタのゲート電極を含み、前記第1のゲート配線の延長線上に位置する第2のゲート配線と、
前記第1のゲート配線と前記第2のゲート配線との間に位置し、前記第14のトランジスタのゲート電極を含む第3のゲート配線と、
前記第3のトランジスタのゲート電極と前記第4のトランジスタのゲート電極と前記第13のトランジスタのゲート電極とを含み、直線状に形成された第4のゲート配線と、
前記第5のトランジスタのゲート電極を含み、前記第4のゲート配線の延長線上に位置する第5のゲート配線と、
前記第9のトランジスタのゲート電極と第10のトランジスタのゲート電極と前記第15のトランジスタのゲート電極とを含み、直線状に形成された第6のゲート配線と、
前記第11のトランジスタのゲート電極を含み、前記第6のゲート配線の延長線上に位置する第7のゲート配線と、
前記第7のトランジスタのゲート電極と前記第8のトランジスタのゲート電極とを含み、直線状に形成された第8のゲート配線と、
前記第12のトランジスタのゲート電極を含み、前記第8のゲート配線の延長線上に位置する第9のゲート配線と、
前記第8のゲート配線と前記第9のゲート配線との間に位置し、前記第16のトランジスタのゲート電極を含む第10のゲート配線と
を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (8):
H01L21/8244
, G11C15/04
, H01L21/28
, H01L21/768
, H01L27/11
, H01L29/417
, H01L29/423
, H01L29/49
FI (7):
H01L27/10 381
, G11C15/04 Z
, H01L21/28 301D
, H01L21/28 301S
, H01L29/50 M
, H01L29/58 G
, H01L21/90 C
F-Term (55):
4M104AA01
, 4M104BB14
, 4M104BB20
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD04
, 4M104DD16
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD84
, 4M104FF14
, 4M104FF18
, 4M104FF22
, 4M104GG16
, 5F033HH04
, 5F033HH25
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ33
, 5F033KK03
, 5F033KK25
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033QQ09
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033SS11
, 5F033TT08
, 5F033VV16
, 5F083BS17
, 5F083BS23
, 5F083BS27
, 5F083BS46
, 5F083BS50
, 5F083GA09
, 5F083JA35
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083LA01
, 5F083LA21
, 5F083MA01
, 5F083MA03
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083MA20
, 5F083NA01
, 5F083PR12
, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F083PR36
, 5F083PR40
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
-
米国特許第5,391,590号明細書
-
米国特許第6,400,592号明細書
-
半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-310514
Applicant:松下電器産業株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-000316
Applicant:株式会社日立製作所
-
3進内容参照可能メモリハーフセルおよび3進内容参照可能メモリセル
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-100162
Applicant:モサイド・テクノロジーズ・インコーポレイテッド
-
記憶データの読み出し方法および半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-046046
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-098553
Applicant:三菱電機株式会社
Show all
Cited by examiner (5)
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-000316
Applicant:株式会社日立製作所
-
3進内容参照可能メモリハーフセルおよび3進内容参照可能メモリセル
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-100162
Applicant:モサイド・テクノロジーズ・インコーポレイテッド
-
記憶データの読み出し方法および半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-046046
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-098553
Applicant:三菱電機株式会社
-
半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-310514
Applicant:松下電器産業株式会社
Show all
Return to Previous Page