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J-GLOBAL ID：200903037687162303

電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器

Inventor：
安井 淳人

About 安井 淳人


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004008981
Publication number (International publication number)：2005203596
Application date： Jan. 16, 2004
Publication date： Jul. 28, 2005
Summary：
【課題】 半導体層220の格子欠陥等を修復するとともに、半導体層220と支持基板500との密着性を向上させることが可能な、電気光学装置を提供する。【解決手段】 支持基板500の表面に半導体基板を貼り合わせる工程と、(A)半導体基板を水素イオン注入層において分離することにより、半導体層220を形成する工程と、(B)半導体層220による吸収波長のレーザを半導体層220に対して照射することにより、半導体層220の表層部を溶融させる工程とを有する。半導体層220の表層部を溶融させることにより、低層部の規則的な結晶格子を核として再結晶させることができる。また、レーザ照射により発生した熱が、半導体層220と支持基板500との貼り合わせ界面に伝達されるので、貼り合わせ界面の密着性を向上させることができる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
支持基板の表面に半導体基板を貼り合わせる工程と、 前記半導体基板を薄膜化して、前記支持基板の表面に半導体層を形成する工程と、 前記半導体層による吸収波長のレーザを前記半導体層に対して照射することにより、前記半導体層の表層部を溶融させる工程と、 を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
IPC (10)：
H01L27/12 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/786
FI (10)：
H01L27/12 B ,  G02F1/1333 500 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 F ,  H01L21/76 D ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/265 Q
F-Term (53)：
2H090JA16 ,  2H090JB04 ,  2H090JB11 ,  2H090JC06 ,  2H090JD18 ,  2H092JA24 ,  2H092KA03 ,  2H092KA10 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA18 ,  2H092NA29 ,  5F032AA06 ,  5F032AC02 ,  5F032BB01 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032DA02 ,  5F032DA07 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA41 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F052AA02 ,  5F052BB01 ,  5F052BB07 ,  5F052JA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG58 ,  5F110HL07 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN46 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • SOI基板の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-178143   Applicant：ソニー株式会社
  • 非単結晶シリコン薄膜の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-314595   Applicant：富士通株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-031154   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
Cited by examiner (2)
  • 非単結晶シリコン薄膜の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-314595   Applicant：富士通株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-031154   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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