Pat
J-GLOBAL ID:200903037689430771
半導体装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
作田 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001041098
Publication number (International publication number):2002246592
Application date: Feb. 19, 2001
Publication date: Aug. 30, 2002
Summary:
【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することにある。【解決手段】シリコン基板の一主面側に、形成された酸化ジルコニウムまたは酸化ハフニウムを主構成材料とするゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接触して形成されたゲート電極膜とを備えた半導体装置において、前記ゲート絶縁膜に酸素拡散を防止する添加元素を含有させる。
Claim (excerpt):
半導体基板と、前記半導体基板の一主面側に形成された酸化ジルコニウムを主構成材料とするゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極膜とを備え、前記ゲート絶縁膜がハフニウムを0.04at.%以上12at.%以下の濃度で含有することを特徴とする半導体装置。
IPC (13):
H01L 29/78
, H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/316
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/105
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 29/43
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
FI (10):
H01L 21/28 301 A
, H01L 21/28 301 S
, H01L 21/316 X
, H01L 29/78 301 G
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 444 B
, H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/62 G
, H01L 29/78 371
F-Term (75):
4M104BB01
, 4M104BB20
, 4M104CC05
, 4M104EE03
, 4M104EE16
, 4M104FF13
, 5F038AC05
, 5F038AC15
, 5F038EZ20
, 5F058BA01
, 5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BF02
, 5F058BF12
, 5F058BJ10
, 5F083AD01
, 5F083AD24
, 5F083AD48
, 5F083FR02
, 5F083GA06
, 5F083GA25
, 5F083JA02
, 5F083JA12
, 5F083JA35
, 5F083JA39
, 5F083JA56
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083PR33
, 5F101BA44
, 5F101BA62
, 5F101BB08
, 5F140AA06
, 5F140AA23
, 5F140AA24
, 5F140AB01
, 5F140AC32
, 5F140AC33
, 5F140BA01
, 5F140BA20
, 5F140BD01
, 5F140BD02
, 5F140BD04
, 5F140BD05
, 5F140BD11
, 5F140BD17
, 5F140BE09
, 5F140BE10
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF08
, 5F140BF11
, 5F140BF17
, 5F140BF20
, 5F140BF21
, 5F140BF27
, 5F140BG08
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG28
, 5F140BG30
, 5F140BJ27
, 5F140CA02
, 5F140CA06
, 5F140CC02
, 5F140CC03
, 5F140CC07
, 5F140CC08
, 5F140CC11
, 5F140CC12
, 5F140CC16
, 5F140DB01
, 5F140DB05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
特開平3-074878
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-362704
Applicant:株式会社東芝
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