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J-GLOBAL ID：200903037700486180

炭素添加化合物半導体の結晶成長方法

Inventor： 香田 拡樹 ,  和田 一実
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 小林 将高
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993237710
Publication number (International publication number)：1994326042
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 600°Cの以上の高温成長において、1x1019原子/cm3 以上の高炭素濃度化合物半導体結晶を得る。【構成】 原料ボンベ8のバルブ8aを開け、水素ガスをトリメチルひ素原料中にバブリングさせてトリメチルひ素の原料ガスを反応管1内に送る。次に、同時に原料ボンベ9からトリメチルアンチモンの原料ガスを、また、原料ボンベ7からトリメチルガリウムの原料ガスを反応管1内に送り、炭素添加ガリウムひ素薄膜を形成する。そして、トリメチルアンチモンの原料ガスの流量を制御することによって添加する炭素濃度を制御することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

複数の構成原料を用いた気相成長方法による二元または三元結晶の炭素添加III ・V族化合物半導体結晶の成長方法において、前記複数の構成原料の一つで主炭素源である構成原料の分子の炭素結合分解反応を抑制するメチル基ガスを供給し、このメチル基ガスの供給量により炭素添加量を制御することを特徴とする炭素添加化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平1-158723
  
• 特開平2-203520
  
• 特開平2-272722
  
• 特開平3-241731
  
• 化合物半導体素子およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-196613   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-023932   Applicant：松下電子工業株式会社