Pat
J-GLOBAL ID：200903037905205788

セラミックスの製造方法およびその製造装置、ならびに半導体装置および圧電素子

Inventor：
名取 栄治

About 名取 栄治


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000091603
Publication number (International publication number)：2001279443
Application date： Mar. 29, 2000
Publication date： Oct. 10, 2001
Summary：
【要約】【課題】 プロセス温度を低下させながら、結晶性などの特性が高いセラミックスを得ることができる製造方法、およびセラミックスの製造装置を提供する。【解決手段】 セラミックスの製造方法は、少なくともセラミックスの原材料の一部となる物質の活性種100Aと、電磁波200Aとを、所定領域に供給しながら、セラミックス膜を形成する工程を含む。前記所定領域に、セラミックスの原材料の一部となる物質からなる膜が形成されていてもよい。さらに、活性種100Aと電磁波200Aとを、第1のセラミックス膜20aに供給して、第1のセラミックス膜20aと結晶構造の異なる第2のセラミックス膜を形成する工程を含む。
Claim (excerpt)：
少なくともセラミックスの原材料の一部となる物質の活性種と、電磁波とを、所定領域に供給しながら、セラミックス膜を形成する工程を含む、セラミックスの製造方法。
IPC (10)：
C23C 16/40 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24
FI (11)：
C23C 16/40 ,  C23C 14/08 K ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 A
F-Term (55)：
4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB03 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DA06 ,  4K029EA01 ,  4K029KA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA42 ,  4K030BB05 ,  4K030BB06 ,  4K030BB13 ,  4K030BB14 ,  4K030EA01 ,  4K030FA12 ,  4K030FA14 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AD08 ,  5F045BB07 ,  5F045DA52 ,  5F045DA61 ,  5F058BA11 ,  5F058BB04 ,  5F058BC20 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF54 ,  5F058BF75 ,  5F058BH07 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA32 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083ZA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM