強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子、及び強誘電体メモリ素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996036041
Publication number (International publication number)：1997153597
Application date： Feb. 23, 1996
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、成膜温度の低温化及び短時間化、リーク電流の低減、製造プロセスの簡略化が可能なBi系層状構造化合物から成る強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子、及び強誘電体メモリ素子を提供することを目的としている。【解決手段】基板上に下部電極層と強誘電体薄膜と上部電極層とを順番に備える強誘電体薄膜素子の製造方法において、基板上に形成された前記下部電極層の表面に金属を含む前駆体溶液を塗布する工程(S10)と、塗布された前駆体溶液を加熱して溶媒のみを除去して乾燥する工程(S11)と、乾燥された前駆体を加熱して強誘電体薄膜を形成する第1の熱処理工程(S13)と、強誘電体薄膜上に上部電極層を形成した後に、1気圧より低いガス圧力雰囲気中にて加熱する第2の熱処理工程(S15)とを含む。

Claim (excerpt)：

基板上に下部電極層と強誘電体薄膜と上部電極層とを順番に備える強誘電体薄膜素子の製造方法において、基板上に形成された前記下部電極層の表面に金属を含む前駆体溶液を塗布する工程と、塗布された前駆体溶液を加熱して溶媒のみを除去して乾燥する工程と、乾燥された前駆体を加熱して強誘電体薄膜を形成する第1の熱処理工程と、該強誘電体薄膜上に上部電極層を形成した後に、1気圧より低いガス圧力雰囲気中にて加熱する第2の熱処理工程とを含むことを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (11)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01G 4/33 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 37/02 , H01L 41/09 , H01L 41/187 , H01L 21/316

FI (8)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 451 , H01L 37/02 , H01L 21/316 G , H01G 4/06 102 , H01L 29/78 371 , H01L 41/08 C , H01L 41/18 101 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-254378 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-220221 Applicant：セイコーエプソン株式会社
強誘電体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-054007 Applicant：オリンパス光学工業株式会社

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