埋め込み型半導体レーザ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河野登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995281546
Publication number (International publication number)：1997129963
Application date： Oct. 30, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】リッジ埋め込み型の半導体レーザを製造する際に、リッジの上側を構成する半導体層において充分なサイドエッチング量を達成できない。【解決手段】リッジ22の上側を構成するp-GaAsキャップ層7の厚さc(μm)が、リッジ22の下端部の幅W(μm),リッジ22の傾斜角α,β(°),リッジ22の下側を構成するp-Ga<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>Pコンタクト層6及びp-(Al<SB>0.7 </SB>Ga<SB>0.3 </SB>)<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>Pクラッド層5の合計の厚さh(μm)に対して、0.4≦c<W/{tan(90°-α)+tan(90°-β)}-hを満足する。

Claim (excerpt)：

第1半導体層と第2半導体層との積層構造からなるメサ状のリッジを有する埋め込み型半導体レーザにおいて、前記第1半導体層の厚さc(μm)が、前記リッジの下端部の幅W(μm),前記リッジの傾斜角度α,β(°),前記第2半導体層の厚さh(μm)に対して、0.4≦c<W/{tan(90°-α)+tan(90°-β)}-hの条件を満足することを特徴とする埋め込み型半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-317523 Applicant：三洋電機株式会社
リッジ埋め込み型半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-092984 Applicant：三洋電機株式会社
特開平2-172287

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