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J-GLOBAL ID：200903038001734620

酸感応性重合体、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、および半導体装置の製造方法

Inventor：
野崎 耕司

About 野崎 耕司

, 
矢野 映

About 矢野 映


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997165935
Publication number (International publication number)：1999012326
Application date： Jun. 23, 1997
Publication date： Jan. 19, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 KrFあるいはArFエキシマレーザの波長に対して実用可能な感度で、膨潤のない微細なレジストパターンを、密着性良く、しかも安価に形成できるレジスト組成物を提供する。【解決手段】 化学増幅型のレジスト組成物において、光酸発生剤とともに含まれる酸反応性重合体が、次式(I)により表されるラクトン部分(nは1〜4の整数であり、Rは水素あるいは任意のアルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基であり、エステル結合している2位を除く任意の位置に結合できる)をカルボキシル基の保護基として含み構成する。
Claim (excerpt)：
塩基性水溶液に不溶な被膜形成性の重合体であって、次式(I)【化1】(nは1〜4の整数であり、Rは水素あるいは任意のアルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基であり、エステル結合している2位を除く任意の位置に結合できる)により表されるラクトン構造を、樹脂側鎖のカルボキシル基の保護基として含有し、さらに、樹脂側鎖に酸に対して不安定な保護基を有する追加の酸性官能基を含む酸感応性重合体。
IPC (11)：
C08F 20/26 ,  C08F 12/04 ,  C08F 22/40 ,  C08F246/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (11)：
C08F 20/26 ,  C08F 12/04 ,  C08F 22/40 ,  C08F246/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/302 H
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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