薄膜半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995191310
Publication number (International publication number)：1997018011
Application date： Jul. 03, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】同一導電型のトランジスタで構成することにより、少ない工程数で低コスト化することが可能な薄膜半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】ガラス基板46上には、液晶表示パネル42と液晶駆動回路のドレインドライバ44とゲートドライバ45とが一体形成されている。このドレインドライバ44とゲートドライバ45を構成する薄膜トランジスタと、液晶表示パネルの各画素に設けられたスイッチング素子の薄膜トランジスタとは、全て同一導電型のPMOSトランジスタを使って構成されている。このため、1枚のガラス基板46上にドライブ回路と表示部とを同時に形成できる上、同一導電型のトランジスタを形成すればよいため、イオンドーピング回数が少なくて済むことから、製造コストを低く抑えることができる。

Claim (excerpt)：

1つの基板上に形成された薄膜トランジスタ回路に含まれる薄膜トランジスタ全体が同一導電型のトランジスタで構成され、前記複数の薄膜トランジスタで構成されたラッチ回路を含み、該ラッチ回路を複数含むドライバ回路が形成されていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 27/12 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 612 B , G02F 1/136 500 , H01L 27/12 A , H01L 29/78 616 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

画像表示用の基板とその製造方法、およびTFT表示素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-174577 Applicant：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
インバータ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-044063 Applicant：株式会社ジーティシー
薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-084541 Applicant：ソニー株式会社

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