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J-GLOBAL ID：200903038061293267

単結晶の引き上げ装置及び方法

Inventor： ヴェルフリート・フォン・アモン ,  ハンス・エルクルング ,  エリッヒ・ドルンベルガー ,  フランツ・ゼギート
Applicant, Patent owner： ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
Agent (1)： 萩野 平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998039202
Publication number (International publication number)：1998265294
Application date： Feb. 20, 1998
Publication date： Oct. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 結晶化境界近傍における半径方向の軸線方向温度勾配の変動を実質的に回避する。【解決手段】 シリコン単結晶の引き上げ装置は、結晶化境界で成長する単結晶を環状に取り囲み該単結晶に対向する面を有する要素を備える。該要素は、結晶化境界と略同じ高さで単結晶を取り囲み、単結晶により放射された熱線を反射する特性又は熱線を放射する特性を有する。本発明は、更に、単結晶を取り囲む要素を用いて該単結晶に熱作用を及ぼすシリコン単結晶の引き上げ方法に関する。

Claim (excerpt)：

結晶化境界で成長する単結晶を環状に取り囲み該単結晶に対向する面を有する要素を備えた、シリコン単結晶を引き上げるための装置であって、前記要素が、結晶化境界と略同じ高さで単結晶を取り囲み、単結晶により放射された熱線を反射する特性又は熱線を放射する特性を有する、ことを特徴とする装置。

IPC (4)：

C30B 15/30 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/208

FI (4)：

C30B 15/30 ,  C30B 29/06 502 J ,  C30B 29/06 502 E ,  H01L 21/208 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体単結晶引き上げ装置および引き上げ方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-235335   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• シリコン単結晶の引上げ方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-329839   Applicant：ワッカー・ケミトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・エレクトロニク・グルントシュトッフェ・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング