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J-GLOBAL ID：200903038065197360

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとその製造方法

Inventor：
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998162479
Publication number (International publication number)：1999354786
Application date： Jun. 10, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 GaN系化合物半導体を用いた高耐圧で大電流制御可能な絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを実現する。【解決手段】 Siからなる結晶性の良好な基板結晶1上にGaN系化合物半導体からなるp型半導体層4およびn型半導体層5を順に積層形成し、このn型半導体層にp型不純物拡散領域7およびn型不純物拡散領域8を選択的に成形してトランジスタを設ける。そしてn型不純物拡散領域の上面にエミッタ電極Eを形成すると共に、溝により露出させたn型半導体層上に絶縁層9を介してゲート電極Gを形成する。更に基板結晶を裏面側から選択的に除去して露出させたp型半導体層の下面にコレクタ電極Cを形成した素子構造とする。
Claim (excerpt)：
基板結晶上に順に積層形成されたGaN系化合物半導体からなるp型半導体層およびn型半導体層と、上記n型半導体層上に選択的に形成されたp型不純物拡散領域、およびこのp型不純物拡散領域上に選択的に形成されたn型不純物拡散領域と、このn型不純物拡散領域の上面に形成したエミッタ電極と、前記n型半導体層の露出面から前記p型不純物拡散領域の露出面に掛けて絶縁層を介して形成したゲート電極と、前記基板結晶を選択的に除去して露出させた前記p型半導体層の下面に形成したコレクタ電極とを備えたことを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
FI (2)：
H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 655 A
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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