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J-GLOBAL ID：200903038122578944

炭化珪素半導体のオーミック電極構造及び、炭化珪素半導体のオーミック電極製造方法

Inventor： 桐谷 範彦 ,  谷本 智 ,  大串 秀世
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001318728
Publication number (International publication number)：2003086534
Application date： Sep. 10, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】炭化珪素半導体にチタンとアルミの電極材料を蒸着して熱処理を行うと、電極の表面に凹凸を生じ易く、光学顕微鏡などで観察すると黒色化が観察出来る。この黒色化して見える電極の表面では、オーミック電極のコンタクト抵抗値のばらつきが大きい。【解決手段】p型炭化珪素半導体にオーミック電極を形成する電極構造において、炭化珪素半導体上に成膜され熱反応によって形成されたニッケルと炭素とシリコンとアルミを含む第1の反応層120に電極を接続することでオーミック電極のコンタクト抵抗値のばらつきを低減する。

Claim (excerpt)：

p型炭化珪素半導体基体に対するオーミック電極を形成する電極構造において、該p型炭化珪素半導体基体上に成膜され熱処理によって形成された、シリコンと金属間化合物を形成する磁性体と炭素とシリコンとアルミを含む第1の反応層を有し、該第1の反応層に電極を接続したことを特徴とする炭化珪素半導体のオーミック電極構造。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (3)：

H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 B

F-Term (18)：

4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD83 ,  4M104FF23 ,  4M104GG18 ,  4M104HH12 ,  4M104HH15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-175050   Applicant：株式会社デンソー
• 特開平1-268121
  
• p型SiC用電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-270771   Applicant：豊田合成株式会社
• 特開平1-268121