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J-GLOBAL ID：200903038124337936
マイクロエレクトロニクス素子とエッチング困難な半導体材料と金属化された孔とを備えた構造
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998173636
Publication number (International publication number)：1999087526
Application date： Jun. 19, 1998
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 エッチング困難な半導体材料を使用した場合であっても、貫通孔を容易に形成すること。【解決手段】 マイクロエレクトロニクス素子20を具備する構造14を作製するための方法であって、エッチング困難な材料からなる薄膜12を、エッチング容易な材料から形成されるとともに支持体として機能する第1基板の前面上に固定し、マイクロエレクトロニクス素子20を薄膜12内に形成し、エッチングによって貫通孔33を形成するとともに、第1基板の後面上に形成された電極18を、マイクロエレクトロニクス素子20のソース電極24に対して電気接続するよう、貫通孔33を金属化する。
Claim (excerpt)：
エッチング困難な半導体材料内に形成されたマイクロエレクトロニクス素子を具備する構造を作製するための方法であって、エッチング困難な前記半導体材料からなる薄膜を、エッチング容易な材料から形成されるとともに支持体として機能する第1基板の前面上に堅固に固定することによって、構造をもたらし、マイクロエレクトロニクス素子を前記薄膜内に形成し、エッチングによって前記構造内に貫通孔を形成するとともに、前記第1基板の後面上に形成された電極を、前記マイクロエレクトロニクス素子の電極に対して電気接続するよう、金属化することを特徴とする方法。
IPC (2)：
H01L 21/8234
, H01L 27/088
Cited by examiner (3)
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特開平3-153057
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特開平1-135070
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単結晶III-V族化合物半導体層の成長方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-184740
Applicant：ソニー株式会社
Article cited by the Patent：
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