炭素多孔体、炭素多孔体を製造する方法、吸着剤および生体分子素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005022234
Publication number (International publication number)：2006206397
Application date： Jan. 28, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：

【課題】大きな孔容量と比表面積とを有し、吸着物質の内部への拡散に好適な炭素多孔体、および、その製造方法を提供すること。【解決手段】炭素多孔体を製造する方法は、ケージ型シリカ多孔体と炭素源とを混合する工程と、得られた混合物を加熱する工程と、反応物からケージ形シリカ多孔体を除去する工程とを包含する。ケージ型シリカ多孔体は、シリカ骨格と、シリカ骨格によって形成された複数の孔と、複数の孔のそれぞれを相互に結合する、シリカ骨格によって形成されたチャネルとを含む。複数の孔は、三次元に規則的かつ対称に位置し、複数の孔の直径d1と、チャネルの径d2とは、関係d1>d2を満たす。ケージ形シリカ多孔体と炭素源とは、ケージ形シリカ多孔体中のケイ素(Si)と炭素源中の炭素(C)とのモル比(C/Si)が、関係0.8<C/Si<3.0を満たすように混合される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

炭素多孔体(ICY)を製造する方法であって、ケージ型シリカ多孔体と炭素源とを混合する工程であって、前記ケージ型シリカ多孔体は、シリカ骨格と、前記シリカ骨格によって形成された複数の孔と、前記複数の孔のそれぞれを相互に結合する、前記シリカ骨格によって形成されたチャネルとを含み、前記複数の孔は、三次元に規則的かつ対称に位置し、前記複数の孔の直径d1と、前記チャネルの径d2とは、関係d1>d2を満たし、前記ケージ形シリカ多孔体と前記炭素源とを、前記ケージ形シリカ多孔体中のケイ素(Si)と前記炭素源中の炭素(C)とのモル比(C/Si)が、関係0.8<C/Si<3.0を満たすように混合する、工程と、前記混合する工程によって得られた混合物を加熱する工程と、前記加熱する工程によって得られた反応物から前記ケージ形シリカ多孔体を除去する工程とを包含する、方法。

IPC (4)：

C01B 31/02 , B01J 20/20 , B01J 20/30 , C01B 33/12

FI (4)：

C01B31/02 101A , B01J20/20 A , B01J20/30 , C01B33/12 Z

F-Term (59)：

4G066AA04B , 4G066AA22D , 4G066AB01A , 4G066AB05A , 4G066AB06A , 4G066AB07A , 4G066BA25 , 4G066BA26 , 4G066BA38 , 4G066CA01 , 4G066CA02 , 4G066CA35 , 4G066FA03 , 4G066FA11 , 4G066FA21 , 4G066FA22 , 4G066FA34 , 4G066FA37 , 4G072AA25 , 4G072BB15 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH14 , 4G072LL06 , 4G072LL07 , 4G072TT05 , 4G146AA01 , 4G146AB05 , 4G146AB08 , 4G146AC04A , 4G146AC04B , 4G146AC06B , 4G146AC09A , 4G146AC09B , 4G146AC17B , 4G146AD31 , 4G146BA11 , 4G146BA12 , 4G146BB04 , 4G146BB06 , 4G146BB22 , 4G146BC03 , 4G146BC32A , 4G146BC32B , 4G146BC33A , 4G146BC33B , 4G146CA11 , 4G146CB24 , 4G146CB28 , 4G146CB37 , 4G146CB38 , 5H018AA02 , 5H018BB01 , 5H018BB12 , 5H018BB13 , 5H018DD01 , 5H018EE05 , 5H018HH02 , 5H018HH04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

炭素分子体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-037053 Applicant：三星電子株式会社

Cited by examiner (3)

炭素分子体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-037053 Applicant：三星電子株式会社
向上された機械的強度を有するナノ多孔性炭素の製造方法及びそれによって製造されるナノ多孔性炭素
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-365606 Applicant：三星電子株式会社
ゼオライト-有機複合材およびモレキュラーシーブ由来の炭素ナノ構造体と当該炭素ナノ構造体の製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-033152 Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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