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J-GLOBAL ID：200903038145539393

半導体光集積回路

Inventor： ▲高▼木 和久
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (4)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山田 卓二 ,  中野 晴夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003079980
Publication number (International publication number)：2004288921
Application date： Mar. 24, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：

【課題】利得領域を有する半導体光集積回路、特に、光ファイバ通信システムや光ディスク装置に使用される半導体光集積回路に関し、利得領域の光学利得を大きくしても寄生発振が生じない光集積回路を提供する。【解決手段】光学利得を有する利得領域を備えた半導体光集積回路において、半導体基板と、半導体基板に設けられた光の反射部および利得領域と反射部と利得領域との間を接続する第1光導波路とを含み、第1光導波路が、第1光導波路より光の吸収率の高い第2光導波路を含む。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

光学利得を有する利得領域を備えた半導体光集積回路であって、 半導体基板と、 該半導体基板に設けられた光の反射部および利得領域と、 該反射部と該利得領域との間を接続する第1光導波路とを含み、 該第1光導波路が、該第1光導波路より光の吸収率の高い第2光導波路を含むことを特徴とする半導体光集積回路。

IPC (2)：

H01S5/026 ,  G02B6/122

FI (2)：

H01S5/026 618 ,  G02B6/12 A

F-Term (19)：

2H047KA04 ,  2H047KA11 ,  2H047KA12 ,  2H047LA01 ,  2H047LA11 ,  2H047LA12 ,  2H047QA02 ,  5F073AA22 ,  5F073AA65 ,  5F073AA89 ,  5F073AB12 ,  5F073AB15 ,  5F073AB25 ,  5F073BA02 ,  5F073BA05 ,  5F073CA12 ,  5F073EA27 ,  5F073EA29 ,  5F073FA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 超高輝度発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-165176   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 広帯域半導体光増幅器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-206727   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体光増幅器およびASE放射用光源装置および光ゲートアレイおよび波長可変レーザ装置および多波長レーザ装置および光伝送システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-070289   Applicant：株式会社リコー