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J-GLOBAL ID：200903007982009367

半導体光増幅器およびASE放射用光源装置および光ゲートアレイおよび波長可変レーザ装置および多波長レーザ装置および光伝送システム

Inventor：
高橋 孝志

About 高橋 孝志


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001070289
Publication number (International publication number)：2002270972
Application date： Mar. 13, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：
【要約】【課題】 石英系光ファイバの長距離大容量伝送に適した1.2〜1.6μm帯のレーザ光に対応し、外部環境温度に対して光増幅率の変化が小さい半導体光増幅器を提供する。【解決手段】 この半導体光増幅器は、n型GaAs基板101上に、n型Al0.4Ga0.6Asクラッド層102、GaAs下部光導波層103、GaInNAs/GaAs多重量子井戸活性層104、GaAs上部光導波層105、p型Ga0.5In0.5P第1クラッド層106が順次に積層されている。
Claim (excerpt)：
GaAs基板と、利得領域と、利得領域に電流を注入するp側電極及びn側電極とを備えた半導体光増幅器において、前記利得領域には、GaNAs,GaInNAs,GaNAsSb,GaInNAsSbのいずれかの材料からなる半導体層が用いられることを特徴とする半導体光増幅器。
IPC (3)：
H01S 5/50 610 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/40
FI (3)：
H01S 5/50 610 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/40
F-Term (13)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB06 ,  5F073AB17 ,  5F073AB25 ,  5F073AB28 ,  5F073BA01 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-175243   Applicant：シャープ株式会社
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-120853   Applicant：株式会社日立製作所
  • 半導体光増幅器及び光増幅装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-355796   Applicant：株式会社テラテック
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