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J-GLOBAL ID：200903038207828206

SOI基板およびその製造方法

Inventor： 浜口 功 ,  碇 敦 ,  松村 篤樹
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998020862
Publication number (International publication number)：1999220019
Application date： Feb. 02, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 SOI基板上に形成されたLSIの歩留まりを向上させ、良好な電気特性を実現する、高品質SOI基板とその製造方法を供する。【解決手段】 SOI基板の特徴として、SOI層にああるピット状欠陥の密度が5cm-2以下であることを提言する。そしてSOI構造を形成する前の結晶欠陥密度が1×105cm-3以下であるシリコン単結晶基板にSOI構造を形成することによって、ピット状欠陥を所望の密度以下にすることができる。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基板上に埋め込み酸化膜が形成され、前記埋め込み酸化膜上にデバイス形成用のSOI層が形成されたSOI基板において、前記SOI層の表面より観察されるピット状欠陥の密度が5cm-2以下であることを特徴とするSOI基板。

IPC (4)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12

FI (4)：

H01L 21/76 R ,  H01L 21/324 X ,  H01L 27/12 E ,  H01L 21/265 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• SOIウエハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-195952   Applicant：東芝セラミックス株式会社
• 半導体基板およびその処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-349538   Applicant：株式会社東芝
• シリコン基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-090709   Applicant：新日本製鐵株式会社