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J-GLOBAL ID：200903038246001629

窒化物半導体の成長方法と窒化物半導体基板

Inventor：
米田 章法

About 米田 章法

, 
前川 仁志

About 前川 仁志

, 
平尾 剛

About 平尾 剛


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001017002
Publication number (International publication number)：2002141282
Application date： Jan. 25, 2001
Publication date： May. 17, 2002
Summary：
【要約】【課題】 従来例に比較してより結晶欠陥の少ない窒化物半導体の成長方法と窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】 基板上に、第1の窒化物半導体層を成長させその窒化物半導体層を周期的に露出させる第1の保護膜を形成する工程と、露出された第1の窒化物半導体を核として第2の窒化物半導体を第1の保護膜上を横方向に成長させて第1の保護膜上で接合させることにより、第1の保護膜を覆う第2の窒化物半導体層を形成する工程と、第2の窒化物半導体の接合部とその両側に横方向に成長された第2の窒化物半導体層を覆いかつ第1の窓部上の第2の窒化物半導体層を開口させる第2の保護膜を形成する工程と、開口させた第2の窒化物半導体層をエッチングして凸部と凹部を形成する工程と、第2の窒化物半導体層の凸部を核として第3の窒化物半導体を成長させる工程とを含む。
Claim (excerpt)：
基板上に、第1の窒化物半導体層を成長させる第1の工程と、前記第1の窒化物半導体層を周期的に露出させる複数の第1の窓部を有する第1の保護膜を前記第1の窒化物半導体上に形成する第2の工程と、前記第1の窓部により露出された第1の窒化物半導体を核として第2の窒化物半導体を前記窓部から前記第1の保護膜上を横方向に成長させ、隣接する前記第1の窓部から成長された第2の窒化物半導体を前記第1の保護膜上で接合させることにより、前記第1の保護膜を覆う第2の窒化物半導体層を形成する第3の工程とを有する窒化物半導体の成長方法において、前記第2の窒化物半導体が接合された接合部とその両側に横方向に成長されてなる第2の窒化物半導体層を覆いかつ前記第1の窓部上に位置する第2の窒化物半導体層を開口させる第2の窓部を有する第2の保護膜を形成する第4の工程と、前記第2の保護膜の第2の窓部により開口させた第2の窒化物半導体層をエッチングにより除去することにより、第2の窒化物半導体層において凸部と凹部を形成する第5の工程と、前記第2の窒化物半導体層の凸部を核として第3の窒化物半導体を成長させる第6の工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (5)：
H01L 21/20 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/3065
FI (5)：
H01L 21/20 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/302 J
F-Term (48)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA03 ,  4K030HA04 ,  4K030LA11 ,  5F004BD04 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB13 ,  5F004DB19 ,  5F004EB04 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DB01 ,  5F052KA01 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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