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J-GLOBAL ID：200903038293732518

圧電体薄膜あるいは強誘電体薄膜の製造方法

Inventor：
田村 博明

About 田村 博明

, 
長谷川 和正

About 長谷川 和正

, 
▲濱▼田 泰彰

About ▲濱▼田 泰彰


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999312932
Publication number (International publication number)：2001130958
Application date： Nov. 02, 1999
Publication date： May. 15, 2001
Summary：
【要約】【課題】 ゾルゲル法に代表されるポストアニール方式をもちいて圧電・強誘電体薄膜を作製する場合、結晶配向性を制御することが困難であった。【解決手段】 原料溶液の乾燥工程において、基板加熱の最高温度をT°C、この温度での加熱時間をt分間とするとき、350≦T≦450t-5t(0<t)で表される条件で基板加熱をおこなう。
Claim (excerpt)：
溶媒の主成分として2-n-ブトキシエタノールをもちい、これに鉛とジルコニウムならびにチタンの各金属をカルボン酸塩あるいはアセチルアセトナートあるいはアルコキシドのいずれかの形態で溶解した溶液を原料溶液として、前記原料溶液を基板に成膜された電極上に塗布する工程と、前記基板を各温度で加熱することによって原料溶液を乾燥し、非晶質状前駆体膜を形成する工程とを順次繰り返して非晶質状前駆体膜を積層する工程と、この繰り返しの工程で積層された非晶質状前駆体膜を加熱焼成して結晶性薄膜を形成する工程よりなる圧電体薄膜あるいは強誘電体薄膜の製造方法において、前記基板を加熱する工程における基板加熱の最高温度をT°C、この温度での加熱時間をt分間と表すとき、350≦T≦405-5t(0<t)であることを特徴とする圧電体薄膜あるいは強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (4)：
C04B 35/49 ,  B01J 19/00 ,  C03C 17/25 ,  H01L 41/24
FI (4)：
C04B 35/49 Z ,  B01J 19/00 K ,  C03C 17/25 A ,  H01L 41/22 A
F-Term (27)：
4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031BA10 ,  4G031CA03 ,  4G031CA08 ,  4G031GA05 ,  4G031GA06 ,  4G031GA11 ,  4G059EA04 ,  4G059EA07 ,  4G059EB05 ,  4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA62 ,  4G075AA63 ,  4G075BA06 ,  4G075BB02 ,  4G075BD16 ,  4G075BD26 ,  4G075CA02 ,  4G075CA57 ,  4G075ED01 ,  4G075FB04 ,  4G075FC15 ,  4G075FC20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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