成膜方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998227113
Publication number (International publication number)：2000058645
Application date： Aug. 11, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】電解メッキ法によって低抵抗の金属を溝や孔に良好に埋め込む。【解決手段】配線用の溝12や孔13が形成された被処理基板上に無電解メッキの成長種として機能する第1の金属膜15を形成する工程と、第1の金属膜が形成された被処理基板上に無電解メッキ法によって第2の金属膜16を形成する工程と、第1及び第2の金属膜が形成された被処理基板上に電界メッキ法によって第3の金属膜17を形成する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

配線用の溝及び/又は孔が形成された被処理基板上に無電解メッキの成長種として機能する第1の金属膜を形成する工程と、この第1の金属膜が形成された被処理基板上に無電解メッキ法によって第2の金属膜を形成する工程と、前記第1及び第2の金属膜が形成された被処理基板上に電界メッキ法によって第3の金属膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法。

IPC (5)：

H01L 21/768 , C23C 18/52 , C25D 3/38 , H01L 21/288 , H01L 21/3205

FI (5)：

H01L 21/90 A , C23C 18/52 B , C25D 3/38 , H01L 21/288 E , H01L 21/88 B

F-Term (29)：

4K022AA02 , 4K022BA01 , 4K022BA08 , 4K022BA18 , 4K022BA36 , 4K022DA01 , 4K022DB06 , 4K022DB29 , 4K023AA19 , 4K023AA24 , 4K023BA06 , 4K023BA29 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104HH16 , 5F033AA04 , 5F033AA05 , 5F033AA66 , 5F033BA17 , 5F033BA25 , 5F033BA38 , 5F033BA46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-142262 Applicant：沖電気工業株式会社
バイアホール及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-330822 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-120734

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