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J-GLOBAL ID：200903038338079020

新規ヨ-ドニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor： 大澤 洋一 ,  渡辺 聡 ,  名倉 茂広 ,  田中 啓順 ,  河合 義夫
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995309848
Publication number (International publication number)：1997124533
Application date： Nov. 02, 1995
Publication date： May. 13, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】 下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基に少なくとも1つの酸不安定基を有し、直鎖状、分岐状あるいは環状のアルキルスルホネートを持つヨードニウム塩及び元を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。【効果】 上記式(1)の新規なヨードニウム塩は、微細加工技術に適した高解像性を有する化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として有効である。従って、上記式(1)のヨードニウム塩を酸発生剤として含有するレジスト材料は、化学増幅ポジ型レジスト材料として遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成でき、感度、解像度、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基に少なくとも1つの酸不安定基を有し、直鎖状、分岐状あるいは環状のアルキルスルホネートを持つことを特徴とするヨードニウム塩。【化1】(但し、式中R1はアルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、OR2は酸不安定基であり、Yは炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホネートで、その構造中にC=Oカルボニル二重結合、C-O-Cエーテル結合又はアルコール性水酸基を含んでいてもよい。)

IPC (10)：

C07C 43/225 ,  C07C 69/63 ,  C07C309/04 ,  C07C309/25 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (10)：

C07C 43/225 C ,  C07C 69/63 ,  C07C309/04 ,  C07C309/25 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-041714   Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
• ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-218703   Applicant：日本電信電話株式会社
• ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-331720   Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社