ポジ型レジスト材料

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小島隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994331720
Publication number (International publication number)：1996160620
Application date： Dec. 09, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】下記一般式(1)(式中、Qはt-ブトキシカルボニル基等、nは1〜3の整数、x,mはx+m=1であるが、xは0になることはない。)で示されるシリコーンポリマーと、照射される放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤との2成分を含むアルカリ水溶液で現像可能なポジ型レジスト材料であって、上記酸発生剤が一般式(2)(R)pJM(式中、Rは芳香族基又は置換芳香族基であるが、Rの少なくとも一つは、R13CO-(R1は炭素数1〜10の置換又は非置換一価炭化水素基)で示されるt-アルコキシ基等、で置換されたフェニル基であり、Jはスルホニウム又はヨードニウム、Mはp-トルエンスルフォネート基又はトリフルオロメタンスルフォネート基を示す。pは2又は3である。)で示されるオニウム塩である。【効果】高エネルギー線に感応し、感度、解像性に優れているポジ型レジスト材料を提供する。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)【化1】(式中、Qはt-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、トリメチルシリル基又はテトラヒドロピラニル基を示す。nは1〜3の整数、x,mはx+m=1であるが、xは0になることはない。)で示されるシリコーンポリマーと、照射される放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤との2成分を含むアルカリ水溶液で現像可能なポジ型レジスト材料であって、上記酸発生剤が下記一般式(2) (R)pJM ...(2)(式中、Rは芳香族基又は置換芳香族基であるが、Rの少なくとも一つは、R13CO-(R1は炭素数1〜10の置換又は非置換一価炭化水素基を示す)で示されるt-アルコキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基又はt-ブトキシカルボニルメトキシ基で置換されたフェニル基であり、Jはスルホニウム又はヨードニウムを示し、Mはp-トルエンスルフォネート基又はトリフルオロメタンスルフォネート基を示す。pは2又は3である。)で示されるオニウム塩であることを特徴とするポジ型レジスト材料。

IPC (7)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/029 , G03F 7/075 511 , G03F 7/075 521 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-294009 Applicant：日本電信電話株式会社
酸感応ポリマおよびホトレジスト構造の作成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-210073 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
放射線感応性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-124774 Applicant：沖電気工業株式会社

Show all

Return to Previous Page