ポジ型レジスト材料

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中本宏 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992218703
Publication number (International publication number)：1994043653
Application date： Jul. 27, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】高感度、高解像性、プロセス適用性に優れた高エネルギー線露光用ポジ型レジスト材料を提供する。【構成】ポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がt-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された樹脂(A)、溶解阻害剤(B)、及び酸発生剤(C)の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストにおいて、該(B)が1分子中に1個以上のt-ブトキシカルボニルオキシ基を含み、該(C)が、一般式(化1):(R)n AM(式中Rは同一又は異なり芳香族基又は置換芳香族基を示し、Aはスルホニウム又はヨードニウムを示す。Mはトシレート基あるいはトリフレート基を示し、nは2又は3を示す)で表される酸発生剤を2種類以上混合したものであり、重量分率が、0.07≦B≦0.40、0.005≦C≦0.15、0.55≦A、A+B+C=1であるレジスト材料。

Claim (excerpt)：

ポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がt-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された樹脂(A)、溶解阻害剤(B)、及び酸発生剤(C)の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストにおいて、該溶解阻害剤(B)が1分子中に1個以上のt-ブトキシカルボニルオキシ基を含み、該酸発生剤(C)が下記式(化1):【化1】(R)n AM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはトシレート基あるいはトリフレート基を示し、nは2又は3を示す)で表される酸発生剤を2種類以上混合したものであり、重量分率が、0.07≦B≦0.40、0.005≦C≦0.15、0.55≦A、A+B+C=1、であることを特徴とするレジスト材料。

IPC (4)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/039 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-158363
特開平4-195138
特開平2-062544

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