半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：國分孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003049870
Publication number (International publication number)：2004260003
Application date： Feb. 26, 2003
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：

【課題】コンタクト抵抗の低減を図り、電気性能の低下を防止する半導体装置及びその製造方法を実現することができるようにする。【解決手段】半導体基板1上にゲート酸化膜3を介して形成されたゲート電極4と、ゲート電極4の両側の半導体基板1の表面に形成され、上部にシリサイド層8を備える一対の不純物拡散層6とを有し、この不純物拡散層6がシリサイド層8との界面の全体に渡って凹凸面を備え、当該凹凸面の表層が均一の不純物濃度となるようにして、コンタクト抵抗を低減できるようにする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板の表面に形成された一対の不純物拡散層と、前記一対の不純物拡散層上に形成されたシリサイド層とを有し、前記不純物拡散層は、前記シリサイド層との界面の全体に渡って凹凸面を備え、当該凹凸面の表層が均一の不純物濃度で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78

FI (6)：

H01L29/78 301P , H01L21/28 301D , H01L21/28 301S , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L29/78 301S

F-Term (60)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD23 , 4M104DD24 , 4M104DD84 , 4M104DD91 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104HH15 , 5F140AA10 , 5F140AA39 , 5F140AC01 , 5F140BA01 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF42 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG20 , 5F140BG26 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG32 , 5F140BG34 , 5F140BG37 , 5F140BG38 , 5F140BG39 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BG58 , 5F140BH05 , 5F140BH06 , 5F140BH14 , 5F140BH35 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ25 , 5F140BK02 , 5F140BK03 , 5F140BK08 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CF00 , 5F140CF04 , 5F140CF07 , 5F140DB03 , 5F140DB05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置およびシリサイド層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-120412 Applicant：沖電気工業株式会社
特開平4-233237
セルフ・アライン・ケイ化物の改良された製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-150474 Applicant：ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレイション

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