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J-GLOBAL ID:200903038417718608

パターン形成材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995351957
Publication number (International publication number):1997185158
Application date: Dec. 27, 1995
Publication date: Jul. 15, 1997
Summary:
【要約】【課題】 電子線、X線、遠紫外線等の放射線を使用して半導体素子、光学素子等の機能素子の表面に超微細加工技術によるパターンを形成する際、安定かつ解像度、再現性に優れたパターンを与え、微細加工が可能なパターン形成材料を得る。【解決手段】 アルカリ可溶性ポリマーの水酸基の全部又は一部をターシャリーブトキシカルボニルオキシ基及び/又はターシャリーブトキシ基で保護したポリマーをベースポリマーとする化学増幅型パターン形成材料に、脱離助剤としてアルコール性水酸基を有する化合物を配合する。
Claim (excerpt):
アルカリ可溶性ポリマーの水酸基の全部又は一部をターシャリーブトキシカルボニルオキシ基及び/又はターシャリーブトキシ基で保護したポリマーをベースポリマーとする化学増幅型パターン形成材料に、脱離助剤としてアルコール性水酸基を有する化合物を配合することを特徴とするパターン形成材料。
IPC (3):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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