パターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003396089
Publication number (International publication number)：2005156999
Application date： Nov. 26, 2003
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：

【課題】パターン形成技術の低コスト化を可能にするパターン形成の新技術を提供する。【解決手段】半導体基板1上の絶縁体膜2表面に加熱消滅性樹脂膜3を形成し、レーザービーム4で加熱消滅性樹脂膜3に熱エネルギー照射する。この熱エネルギーにより照射領域の加熱消滅性樹脂膜3は熱分解し消滅して加熱消滅性樹脂膜3のパターン形成がなされる。更に、全面に光照射6を行いエッチングマスク5aを形成しこれをエッチングマスクにして、プラズマを用いたドライエッチングにより絶縁体膜2をエッチング加工し絶縁体膜2に開口7を形成する。その後、酸素雰囲気あるいは窒素雰囲気中で加熱処理を施し、加熱消滅性樹脂からなるエッチングマスク5aを熱分解し完全に除去する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

被処理基板表面に加熱消滅性樹脂膜を形成する工程と、前記加熱消滅性樹脂膜に対して選択的に熱エネルギー照射し、前記熱エネルギー照射領域の加熱消滅性樹脂膜を消滅させて加熱消滅性樹脂膜のパターンを形成する工程と、を含むパターン形成方法。

IPC (4)：

G03F7/36 , C08G65/336 , G03F7/26 , H01L21/027

FI (4)：

G03F7/36 , C08G65/336 , G03F7/26 513 , H01L21/30 565

F-Term (13)：

2H096AA25 , 2H096BA09 , 2H096CA05 , 2H096EA04 , 2H096EA06 , 2H096GA43 , 2H096GA45 , 2H096HA03 , 2H096HA23 , 2H096HA28 , 4J005AA11 , 4J005BD08 , 5F046JA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-176735 Applicant：株式会社日立製作所
エキシマレーザーアブレーション用レジスト材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-176407 Applicant：大日本インキ化学工業株式会社
特開平4-074566

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