接触ホール埋立方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：富田和子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996228549
Publication number (International publication number)：1997116015
Application date： Aug. 29, 1996
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は非常に小さくと高い段差比とを有する接触ホールまたはバイアホールに空隙が生成されないように、導線金属を満たすことができる接触ホール埋立方法を提供する。【解決手段】基板11上に接触ホール17を形成する工程と、酸化膜15の上部と接触ホール17の内部とに、基板11と電気的に連結されるように、障壁金属層19と湿潤層21とを順に形成する工程と、湿潤層21の上部に導電性金属層23を形成する工程と、導電性金属層23の表面に存在する、吸着及び酸化により表面金属原子の移動特性を低下させる不純物と酸化物とをプラズマで洗浄エッチングして除去する工程と、洗浄エッチングを行った反応炉で相対的に低い温度で導電性金属層をリフローさせて接触ホールを埋立する工程とより達成される。

Claim (excerpt)：

基板に酸化膜を形成し、前記基板が露出されるように前記酸化膜の所定部分を除去して接触ホールを形成する工程と、前記酸化膜の上部と接触ホールの内部とに、前記基板と電気的に連結されるように、障壁金属層と湿潤層を順に形成する工程と、前記湿潤層の上部に導電性金属層を形成する工程と、前記導電性金属層の表面に存在する、吸着及び酸化により表面金属原子の移動特性を低下させる不純物と酸化物とをプラズマで洗浄エッチングして除去する工程と、前記洗浄エッチングを行った反応炉で、相対的に低い温度で前記した導電性金属層をリフローさせて、前記した接触ホールを埋める工程とを含むことを特徴とする接触ホール埋立方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301

FI (3)：

H01L 21/90 C , H01L 21/28 L , H01L 21/28 301 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-319551 Applicant：日本電気株式会社
層間接続孔の埋め込み方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-313342 Applicant：川崎製鉄株式会社
ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-348467 Applicant：株式会社東芝

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