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J-GLOBAL ID：200903038494427128

半導体用治工具の洗浄方法

Inventor： 皆川 和弘 ,  荒堀 忠久
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994213872
Publication number (International publication number)：1996078376
Application date： Sep. 07, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【構成】 炭化珪素及び金属シリコンからなる炭化珪素質材料により構成されガス不透過性を有する半導体用治工具を、その濃度が3重量%以上20重量%未満のHF、HF-HCl又はHF-HNO3 水溶液中に5分〜1時間浸漬して超音波洗浄を行い、その後上記酸洗浄を行った前記半導体用治工具を半導体用超純水中に10分間以上浸漬して超音波洗浄を行う半導体用治工具の洗浄方法。【効果】 酸洗浄により炭化珪素質材料表面近傍に存在する金属等の不純物、その表面に付着したパーティクル、表面ボイド内に存在する不純物等を効率的に除去することができ、その後の水洗により酸洗浄で表面に付着した酸や完全に除去されていないパーティクル等を除去することができ、半導体ウエハの熱処理等において使用した場合に、半導体ウエハを汚染する虞れのない半導体用治具とすることができる。

Claim (excerpt)：

炭化珪素及び金属シリコンからなる炭化珪素質材料により構成されガス不透過性を有する半導体用治工具を、その濃度が3重量%以上20重量%未満のHF、HF-HCl又はHF-HNO3 水溶液中に5分〜1時間浸漬して超音波洗浄を行い、その後に上記酸洗浄を行った前記半導体用治工具を半導体用超純水中に10分間以上浸漬して超音波洗浄を行うことを特徴とする半導体用治工具の洗浄方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/12 ,  H01L 21/68

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 炭化珪素質部材の洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-252076   Applicant：信越化学工業株式会社
• 治具洗浄乾燥方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-165416   Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社