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J-GLOBAL ID：200903038523324570

微結晶膜の製造方法

Inventor：
佐々木 敏明

About 佐々木 敏明


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 山口 巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000250270
Publication number (International publication number)：2002064066
Application date： Aug. 21, 2000
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】 微結晶膜を用いた薄膜半導体デバイスの性能向上を図るために、高い結晶体積分率、即ち高い(I520/I480)を有する微結晶膜を形成可能な微結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】 微結晶膜形成用基板2の一側に配設した平板状の接地電極3と、他側に平行して配設した平板状の高周波電極1と、原料ガス供給口とを備えた成膜室に、膜形成用の原料ガスを導入し、プラズマ放電によって前記基板主面に微結晶膜を形成する微結晶膜の製造方法において、前記両電極の間隔を減少することによって、あるいは、成膜圧力を減少することによって、高周波電極近傍に生ずる発光部とこの発光部に対向して接地電極近傍に生ずる発光部の双方7が、隣接または重なる成膜条件として微結晶膜を形成する。
Claim (excerpt)：
微結晶膜形成用基板の一側に配設した平板状の接地電極と、他側に平行して配設した平板状の高周波電極と、原料ガス供給口とを備えた成膜室に、膜形成用の原料ガスを導入し、プラズマ放電によって前記基板主面に微結晶膜を形成する微結晶膜の製造方法において、前記高周波電極近傍に生ずる発光部とこの発光部に対向して接地電極近傍に生ずる発光部とが、隣接または重なる成膜条件で微結晶膜を形成することを特徴とする微結晶膜の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  C01B 33/02 ,  H01L 31/04
FI (3)：
H01L 21/205 ,  C01B 33/02 D ,  H01L 31/04 V
F-Term (29)：
4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072NN18 ,  4G072RR25 ,  4G072RR28 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  5F045AA08 ,  5F045AB01 ,  5F045AB03 ,  5F045AB05 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045BB16 ,  5F045BB17 ,  5F045CA13 ,  5F045EE17 ,  5F045EH07 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EK07 ,  5F051AA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CA23 ,  5F051CA34
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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