結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000047184
Publication number (International publication number)：2001237187
Application date： Feb. 24, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：

【要約】【課題】低温プラズマCVD法で形成する結晶質シリコン系半導体薄膜の成膜速度を高速化することによって、その生産効率を高めるとともにその膜特性をも改善する。【解決手段】結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法は、そのシリコン系薄膜をプラズマCVD法で堆積する条件として:基板に対向して反応ガスを吹出すプラズマ放電電極が配置され、その電極に含まれる複数のガス放出穴の各々はガス導入側に比べてガス放出側において大きな断面直径を有し;反応室内のガス圧は5Torr以上であり;反応ガスは主要成分としてシランガスと水素ガスを含み;そしてシリコン系薄膜の堆積速度が1μm/h以上であることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法であって、基板上に前記シリコン系薄膜をプラズマCVD法で堆積する条件として、プラズマ反応室内において第1の電極上に前記基板が配置され、前記基板に対向して第2の電極が配置され、前記第2電極は前記シリコン系薄膜を堆積するための反応ガスを前記基板に向けて放出するために複数のガス放出穴を有し、前記ガス放出穴の各々はガス導入側に比べてガス放出側において大きな断面直径を有し、前記反応室内の反応ガス圧は5Torr以上であり、前記反応ガスは主要成分としてシランガスと水素ガスを含み、そして、前記シリコン系薄膜の堆積速度が1μm/h以上であることを特徴とする結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C30B 29/06 504 , C30B 29/06 , H01L 31/04

FI (7)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C30B 29/06 504 B , C30B 29/06 504 C , H01L 31/04 V , H01L 31/04 X , H01L 31/04 W

F-Term (69)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DB04 , 4G077DB11 , 4G077DB16 , 4G077EA01 , 4G077EA04 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BA45 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030EA04 , 4K030FA03 , 4K030HA04 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 4K030KA17 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD09 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AF07 , 5F045BB07 , 5F045BB08 , 5F045BB09 , 5F045BB12 , 5F045BB14 , 5F045BB16 , 5F045CA13 , 5F045DA61 , 5F045EE12 , 5F045EH05 , 5F045EH07 , 5F045EH14 , 5F045EH19 , 5F051AA05 , 5F051CA02 , 5F051CA03 , 5F051CA04 , 5F051CA07 , 5F051CA08 , 5F051CA09 , 5F051CA16 , 5F051CA23 , 5F051CA36 , 5F051CA37 , 5F051DA04 , 5F051DA17 , 5F051FA02 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051FA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法とその方法に用いられるプラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-054207 Applicant：鐘淵化学工業株式会社
特開昭61-260623
ウェハの容量結合放電処理装置および方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-214557 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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