半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997179709
Publication number (International publication number)：1999026868
Application date： Jul. 04, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】エッチング停止層による光場の偏りを矯正することができる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 p型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層8上に、p型Gay In1-y Pエッチング停止層9を介してp型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層10を設けた埋め込みリッジ型のAlGaInP系の半導体レーザにおいて、n型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層2,4の間にn型Gau In1-u P光場矯正層3を設ける。n型Gau In1-u P光場矯正層3の屈折率、禁制帯幅および厚さを、それぞれ、p型Gay In1-y Pエッチング停止層9の屈折率、禁制帯幅および厚さと等しくし、n型Gau In1-u P光場矯正層3を、活性層6に対してp型Gay In1-y Pエッチング停止層9と対称となる位置に設ける。

Claim (excerpt)：

基板と、上記基板上の第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上の活性層と、上記活性層上の第2導電型の第2のクラッド層とを有し、上記第2のクラッド層上にエッチング停止層を介してリッジストライプ形状を有する第2導電型の第3のクラッド層が設けられているとともに、上記第3のクラッド層の両側の部分に第1導電型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する埋め込みリッジ型の半導体レーザにおいて、上記第1のクラッド層中に、上記エッチング停止層による光場の偏りを矯正するための光場矯正層が設けられていることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭63-208290
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-042837 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レ-ザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-338008 Applicant：日本ビクター株式会社

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