Pat

J-GLOBAL ID：200903038539390492

ドープされた部分を有する堆積チャネル領域を含むトランジスタ

Inventor： ホフマン,ランディ
Applicant, Patent owner： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
Agent (3)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006551083
Publication number (International publication number)：2007519256
Application date： Dec. 20, 2004
Publication date： Jul. 12, 2007
Summary：

ゲート電極(12、60)と、ソース電極(20、62)と、ドレイン電極(22、64)と、誘電体材料(16、70)と、ソース電極(20、62)とドレイン電極(22、64)との間に配置されるチャネル領域(18、80)とを有するトランジスタ(10、40、42、44、46)。チャネル領域(18、80)が、不純物がドープされている部分(82)を含み、これにより、チャネル領域(18、80)の残りの部分に対して、その部分(82)内の固定電荷密度が変えられる。

Claim (excerpt)：

ソース電極(20、62)と、 ドレイン電極(22、64)と、 ゲート電極(12、60)と、 堆積薄膜チャネル領域(18、80)であって、不純物がドープされている部分(82)を有し、これにより、該チャネル領域(18、80)の残りの部分に対して当該部分(82)内の固定電荷密度が変更されており、前記ソース電極(20、62)と前記ドレイン電極(22、64)との間に配置されている堆積薄膜チャネル領域(18、80)と、 前記ゲート電極(12、60)を前記チャネル領域(18、80)から電気的に分離する誘電体材料(16、70)とを備えている、薄膜トランジスタ(10、40、42、44、46)。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L29/78 618F ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612Z

F-Term (23)：

5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG51 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-258072
  
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-230365   Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司
• 半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-264885   Applicant：科学技術振興事業団
• 特開昭63-258072