Pat
J-GLOBAL ID:200903038608497008
エレクトロルミネッセントデバイス
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴木 弘男
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000537410
Publication number (International publication number):2002507830
Application date: Mar. 12, 1999
Publication date: Mar. 12, 2002
Summary:
【要約】エレクトロルミネッセントデバイスの製造方法は、第1の極性の電荷キャリアを注入するための第1の電荷キャリア注入層(10)を形成する工程と、第1の電荷キャリア注入層上に有機電荷キャリアの運搬層(11)を形成する工程であって、前記運搬層(11)は当該運搬層の厚さにわたって変化する電子的および/または光学的性質を有する工程と、前記運搬層上に有機発光層(12)を形成する工程と、発光層(12)上に、第2の極性の電荷キャリアを注入するための第2の電荷キャリア注入層(13)を形成する工程と、を有する。
Claim (excerpt):
第1の極性の電荷キャリアを注入するための第1の電荷キャリア注入層を形成する工程と、 第1の電荷キャリア注入層上に有機電荷キャリアの運搬層を形成する工程であって、前記運搬層は当該運搬層の厚さにわたって変化する電子的および/または光学的性質を有する工程と、 前記運搬層上に有機発光層を形成する工程と、 発光層上に、第2の極性の電荷キャリアを注入するための第2の電荷キャリア注入層を形成する工程と、を有するエレクトロルミネッセントデバイスの製造方法。
IPC (4):
H05B 33/22
, C09K 11/06 680
, H05B 33/10
, H05B 33/14
FI (4):
H05B 33/22 C
, C09K 11/06 680
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
F-Term (7):
3K007AB03
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
-
特開平3-190088
-
特開平3-114197
-
特開平4-357694
-
光学的素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-061768
Applicant:ソニー株式会社
-
電界発光素子の電極作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-287255
Applicant:テイーデイーケイ株式会社
-
分子整合有機発光ダイオードおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-255748
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
-
特開平3-105896
-
有機整流素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-089993
Applicant:日本写真印刷株式会社
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Cited by examiner (8)
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特開平3-190088
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特開平3-114197
-
特開平4-357694
-
光学的素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-061768
Applicant:ソニー株式会社
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電界発光素子の電極作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-287255
Applicant:テイーデイーケイ株式会社
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分子整合有機発光ダイオードおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-255748
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
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特開平3-105896
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有機整流素子
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Application number:特願平4-089993
Applicant:日本写真印刷株式会社
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