アクティブマトリクス型表示装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000249149
Publication number (International publication number)：2001127306
Application date： Nov. 26, 1994
Publication date： May. 11, 2001
Summary：

【要約】【目的】信頼性の高いアクティブマトリクス型表示装置を提供する。【構成】ガラス基板の上に形成された窒化珪素膜と、前記窒化珪素膜の上方に形成された活性層と、ゲート絶縁膜を介して前記活性層の上に形成されたゲート電極と、前記活性層に接続されたソース電極と、前記ソース電極の上に形成された窒化珪素膜と、前記ソース電極の上に形成された窒化珪素膜の上に形成され、前記活性層に接続された画素電極と、を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ガラス基板の上に形成された窒化珪素膜と、前記窒化珪素膜の上方に形成された活性層と、ゲート絶縁膜を介して前記活性層の上に形成されたゲート電極と、前記活性層に接続されたソース電極と、前記ソース電極の上に形成された窒化珪素膜と、前記ソース電極の上に形成された窒化珪素膜の上に形成され、前記活性層に接続された画素電極と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 21/336

FI (5)：

G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 29/78 619 A , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-315475 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
薄膜トランジスタおよびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-078999 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平3-293726

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