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J-GLOBAL ID：200903038622584240

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
佐倉 直喜

About 佐倉 直喜

, 
黄金井 宏貞

About 黄金井 宏貞


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998190506
Publication number (International publication number)：2000021902
Application date： Jul. 06, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】高周波用電界効果トランジスタは、周波数特性向上のためにT字型ゲート電極庇部とGaAs基板との間に挟まれる絶縁膜の膜厚を厚くすることによりGaAs基板との間の寄生容量を減らしていた。しかし、絶縁膜の膜厚を厚くするとT字型ゲート電極肢部内に空隙が生じ、ゲート抵抗の増大、周波数特性の悪化、信頼性の低下及び機械的強度の低下を招くという問題があった。【解決手段】T字型ゲート電極54の下を膜厚の薄いソース電極配設領域側のソース側絶縁膜64と膜厚の厚いドレイン電極配設領域側のドレイン側絶縁膜66とすることにより、開口部53の実効的なアスペクト比を小さくし、そこに金属膜が完全に埋め込まれることになるため、ゲート電極肢部59内に空隙を生じさせる危険性がなく、しかもドレイン電極配設領域側の寄生容量Cgdを低く抑えることができる。
Claim (excerpt)：
基板上に離間して形成されたソース電極配設領域及びドレイン電極配設領域、前記ソース電極配設領域及び前記ドレイン電極配設領域の間に設けられた絶縁膜、前記絶縁膜の中央部に前記基板に達する開口部を開口して前記絶縁膜を前記ソース電極配設領域側及び前記ドレイン電極配設領域側に分離することにより形成されるソース側絶縁膜及びドレイン側絶縁膜、前記ソース側絶縁膜及び前記ドレイン側絶縁膜により前記ソース電極配設領域及び前記ドレイン電極配設領域と絶縁され、かつ、前記開口部を充填すると共に前記ソース側絶縁膜及び前記ドレイン側絶縁膜の表面上にも延在するようにして設けられたゲート電極から成る電界効果トランジスタにおいて、前記ドレイン側絶縁膜の膜厚が前記ソース側絶縁膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872
FI (3)：
H01L 29/80 M ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/80 Q
F-Term (29)：
4M104AA05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104CC03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104FF07 ,  4M104FF09 ,  4M104GG12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC11 ,  5F102HC16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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