半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996051864
Publication number (International publication number)：1997246285
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】安価で高周波特性に優れた半導体装置の提供。【解決手段】半導体基板1,2上に形成された茎部171 と、前記半導体基板からの高さがソース側とドレイン側とで異なる笠部172 ,173 とを有しているT型構造のゲート電極17を備えていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された茎部と、前記半導体基板からの高さがソース側とドレイン側とで異なる笠部とを有しているT型構造のゲート電極を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/41

FI (2)：

H01L 29/80 F , H01L 29/44 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

電界効果トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-013065 Applicant：三菱電機株式会社
微細パターン、ゲート電極および量子細線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-176328 Applicant：三洋電機株式会社
電界効果トランジスタの製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-261035 Applicant：松下電子工業株式会社

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