半導体製造装置及びこれを用いたウェーハ処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996241777
Publication number (International publication number)：1997270414
Application date： Sep. 12, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】リンスによるウォーターマークの発生を防止する。【解決手段】ウェーハを支持するスピンチャックと、スピンチャックの上部に位置した第1供給ノズル及びスピンチャクの下端に連結された第2供給ノズルと、第1及び第2供給ノズルに各々連結された第1及び第2化学溶液供給管と、第1及び第2供給ノズルに各々連結された第1及び第2脱イオン水供給管と、第1供給ノズに連結された親水性化溶液供給管とを備え、疎水性物質を親水性物質に変化させた後にリンスを行うことにより、疎水性物質と親水性物質との境界面で発生するウォーターマークを防止する。

Claim (excerpt)：

ウェーハを支持するスピンチャックと、前記スピンチャックの上部に配された第1供給ノズルと、前記スピンチャックの下端に連結された第2供給ノズルと、前記第1及び第2供給ノズルに夫々連結された第1及び第2化学溶液供給管と、前記第1及び第2供給ノズルに夫々連結された第1及び第2脱イオン水供給管と、前記第1供給ノズルに連結された親水性化溶液の供給管と、を備えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/306 , H01L 21/304 341 , H01L 21/304

FI (3)：

H01L 21/306 R , H01L 21/304 341 N , H01L 21/304 341 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭63-029516
シリコンウエハーの洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-275071 Applicant：ミツミ電機株式会社
半導体ウエハの洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-163285 Applicant：ソニー株式会社

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